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[发明专利]一种氮化双向供气装置以及氮化双向供气系统-CN201811544262.9在审
发明人：李春 -专利权人：江苏丰东热技术有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化双向供气装置以及氮化双向供气系统，涉及氮化设备领域，该氮化双向供气装置包括氮化炉、炉顶供气机构和炉底供气机构，炉顶供气机构设置在氮化炉的顶部，用于从顶部向氮化炉通入气体，炉底供气机构设置在氮化炉的底部，用于从底部向氮化炉通入气体。在实际使用时，通过炉顶供气机构从氮化炉的顶部通入氮化气体，通过炉底供气机构从氮化炉的底部通入氮化气体，使得氮化气体能够充分填充在氮化炉内部，并与氮化炉内的工件充分接触，使得氮化炉内的工件都能接受到活性氮分子，保证氮化产品的质量。相较于现有技术，本发明提供的一种氮化双向供气装置，能够从顶部和底部同时供气，使得工件氮化均匀，保证氮化产品质量。
氮化氮化炉双向供气氮化气体供气机构炉底供气炉顶充分接触机构设置设备领域活性氮供气填充保证

[实用新型]一种氮化镓外延片及半导体器件-CN202122921034.2有效
发明人：李利哲;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓外延片及包含氮化镓外延片的半导体器件。所述氮化镓外延片包括：衬底层，缓冲层，多晶氮化镓层，单晶氮化镓层和氮化镓外延层；其中，衬底层；缓冲层位于衬底层上层；多晶氮化镓层位于缓冲层上层；单晶氮化镓层位于多晶氮化镓层上层，单晶氮化镓层的厚度大于多晶氮化镓层的厚度，单晶氮化镓层的生长温度和压力均大于多晶氮化镓层的生成温度和压力；氮化镓外延层位于单晶氮化镓层上层，氮化镓外延层的生长温度小于单晶氮化镓层的生长温度。本实用新型利用缓冲层缓冲晶格失配产生的应力，利用多晶氮化镓层缓冲应力，采用单晶氮化镓层进一步缓冲应力，同时提高外延片的质量，减少位错密度，生成高质量的氮化镓外延层。
一种氮化外延半导体器件

[实用新型]一种氮化双向供气装置以及氮化双向供气系统-CN201822123558.5有效
发明人：李春 -专利权人：江苏丰东热技术有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氮化双向供气装置以及氮化双向供气系统，涉及氮化设备领域，该氮化双向供气装置包括氮化炉、炉顶供气机构和炉底供气机构，炉顶供气机构设置在氮化炉的顶部，用于从顶部向氮化炉通入气体，炉底供气机构设置在氮化炉的底部，用于从底部向氮化炉通入气体。在实际使用时，通过炉顶供气机构从氮化炉的顶部通入氮化气体，通过炉底供气机构从氮化炉的底部通入氮化气体，使得氮化气体能够充分填充在氮化炉内部，并与氮化炉内的工件充分接触，使得氮化炉内的工件都能接受到活性氮分子，保证氮化产品的质量。相较于现有技术，本实用新型提供的一种氮化双向供气装置，能够从顶部和底部同时供气，使得工件氮化均匀，保证氮化产品质量。
氮化氮化炉双向供气氮化气体供气机构炉底供气炉顶本实用新型充分接触机构设置设备领域活性氮供气填充保证

[发明专利]硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片-CN202210884713.3在审
发明人：张臻琢;赵德刚;杨静;梁锋;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片，硅基氮化镓外延层的生长方法包括：将硅基衬底放入反应室中；在硅基衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化镓铝缓冲层；在氮化镓铝缓冲层上生长氮化镓铟插入层；在氮化镓铟插入层上生长氮化镓外延层；其中，生长氮化镓铟插入层的温度低于生长氮化镓铝缓冲层和氮化镓外延层的温度。在氮化镓铝缓冲层上降温生长一层氮化镓铟插入层，降温过程中氮化铝缓冲层和氮化镓铝缓冲层中出现裂纹，释放缓冲层中的部分应力，同时氮化镓铟插入层的生长能够覆盖裂纹，随后升温生长氮化镓外延层，能够使氮化镓外延层生长时受到更大更久的压应力
氮化外延生长方法

[发明专利]连续氮化处理炉和连续氮化处理方法-CN201780037897.7有效
发明人：清水克成;畠中北斗;孙斌;川原正和 -专利权人：同和热处理技术株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C23C8/26 文献下载
摘要：在连续氮化处理炉中设置氮化室、加热器、第1氮化区以及温度比第1氮化区的气氛气体温度低25℃～150℃的第2氮化区，构成为使第1氮化区的气氛气体流入到第2氮化区，构成为实施在第1氮化区中在钢构件的表面形成由ε相或ε相和γ’相构成的铁氮化化合物层、在第2氮化区中使γ’相析出到铁氮化化合物层的氮化处理。
连续氮化处理方法

[发明专利]一种立方氮化硼相变增强的氮化铝/氮化硼复合陶瓷及其制备方法-CN202210703501.0有效
发明人：徐智凯;古思勇;张厚安;李涛;麻季冬;党伟;陈超贤 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/71 文献下载
摘要：本发明涉及一种立方氮化硼相变增强的氮化铝/氮化硼复合陶瓷及其制备方法，包括：S10将氮化铝粉末、立方氮化硼粉末和六方氮化硼粉末混合形成浆料；S20将所述浆料干燥形成复合粉末；S30将所述复合粉末进行热压烧结形成氮化铝/氮化硼陶瓷。本发明以氮化铝、立方氮化硼和六方氮化硼为原料，利用高温烧结过程中，立方氮化硼将相变为洋葱结构的六方氮化硼，避免引入第二相杂质，同时伴随明显的体积膨胀效应，使氮化铝/氮化硼复合陶瓷的致密度和力学性能得到有效提高，各向异性显著减少，氮化铝/氮化硼复合陶瓷拥有优异的力学性能，可解决现有的氮化铝/氮化硼复合陶瓷致密度较低、强度不高和各向异性明显等问题。
一种立方氮化相变增强复合陶瓷及其制备方法

[发明专利]基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法-CN201610334060.6有效
发明人：张进成;庞凯;陈智斌;吕佳骐;朱家铎;许晟瑞;林志宇;宁静;张金;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝成核层；(3)热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓薄膜。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，具有材料质量好，适用衬底范围大的优点，可用于制作氮化镓外延薄膜及器件。
基于氮化磁控溅射生长方法

[发明专利]导电化合物上的大晶粒低电阻率钨-CN201280011970.0无效
发明人： S·L·布朗;J·布吕莱;C·小卡布拉尔;S·卡勒伽里;M·M·弗兰克;M·A·古罗恩;M·霍普斯塔肯;V·纳拉亚南;K·黄洸汉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：该层叠结构包括：基底层，其包括含有氮化钛、氮化钽或它们的组合的材料；导电层，其包括含有氮化钽铝、氮化钛铝、氮化钽硅、氮化钛硅、氮化钽铪、氮化钛铪、氮化铪、碳化铪、碳化钽、氮化钒、氮化铌或它们的任何组合的材料
导电化合物晶粒电阻率

[发明专利]六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法-CN202210095237.7在审
发明人：宁静;武海迪;张进成;赵江林;白玲;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在衬底上制备氮化铝成核层；步骤2：在铜箔表面生长至少一层六方氮化硼层；步骤3：将六方氮化硼层从铜箔转移至氮化铝成核层上；步骤4：在六方氮化硼层上外延生长氮化镓外延层，得到六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构。本发明的方法，首先在衬底上低温磁控溅射了一层氮化铝成核层，再通过转移的方式将六方氮化硼层转移至氮化铝成核层上，然后再进行氮化镓外延生长，外延得到的氮化镓层具有良好的晶格取向，氮化铝成核层起到了晶格修正的作用
氮化辅助外延衬底结构及其制备方法

[发明专利]一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件-CN201710175415.6有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲制备方法半导体器件

[实用新型]一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件-CN201720283425.7有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本实用新型提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲半导体器件

[发明专利]一种镍基高温合金的氮化方法-CN201711424433.X有效
发明人：杨鑫;蒲海亮;尹治虹;李花霞;李肖霞;王萍;王永刚;吴永艳 -专利权人：哈尔滨汽轮机厂有限责任公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C23C8/24 文献下载
摘要：一种镍基高温合金的氮化方法，它涉及一种高温合金的氮化方法，本发明的目的是为了解决镍基高温合金，尤其是GH901和GH4169这两种镍基高温合金氮化困难的问题，本发明的方案：工件装炉前需放置催渗剂；氮化保温50小时后取试样(中间样)检查，若无渗层，氮化温度提高5℃，并重新添加催渗剂；整个氮化保温过程每10小时添加一次催渗剂。氮化结束后检查试样，若氮化层深度不足或者氮化层不均匀，可进行二次氮化，即重复上述氮化过程，之至氮化结果合格。本发明氮化后GH901氮化层深度可达到0.06‑0.1mm，氮化层硬度≥750HV；GH4169氮化层深度可达到0.03mm，氮化层硬度≥850HV。
氮化氮化层镍基高温合金催渗剂保温过程高温合金不均匀渗层装炉保温检查重复

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202011368164.1有效
发明人：张富钦;张紫淇 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上生长氮化镓铝/氮化镓异质结结构层，然后在氮化镓铝/氮化镓异质结结构层上不间断的生长氮化镓牺牲层，在形成氮化硅层时，可以使得硅氢化物会将腐蚀性作用于氮化镓牺牲层，从而达到通过氮化镓牺牲层保护氮化镓铝/氮化镓异质结结构层的目的，有效的改善了因氮化镓铝/氮化镓异质结结构层损伤导致漏电流的增加。同时，在氮化镓牺牲层生长氮化硅层时，还可以改善氮化硅和氮化镓牺牲层界面的锐利度，提升氮化硅层致密性及生长质量，从而显著提升钝化效果。
一种电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓衬底剥离方法-CN202210159444.4有效
发明人：郭芬;苏康;满宏涛;李拓 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化镓衬底剥离方法，包括：获取上表面直接生长有氮化镓外延结构的氮化镓衬底；利用激光光束经外延结构对氮化镓衬底内部进行扫描照射，在氮化镓衬底内产生分解层；激光光束为脉冲宽度小于10‑15s量级的激光，分解层与氮化镓衬底的上表面的距离小于氮化镓衬底的厚度；将氮化镓衬底在分解层处分离，得到剥离后氮化镓衬底和半导体器件。本申请在由氮化镓外延结构到氮化镓衬底的方向上，用激光光束照射氮化镓衬底，使氮化镓衬底内部发生热分解反应，氮化镓衬底在分解层处分离，得到单纯的剥离后氮化镓衬底和半导体器件，即在得到半导体器件的同时实现了氮化镓衬底的剥离，剥离后氮化镓衬底可以重复利用，降低氮化镓衬底的成本。
一种氮化衬底剥离方法

[实用新型]氮化镓外延结构-CN202122942896.3有效
发明人：徐琳 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓外延结构，其包括：氮化镓衬底、设置在氮化镓衬底上的氮化镓成核层、覆盖在氮化镓成核层上的致密氮化镓层以及设置在致密氮化镓层上的氮化镓外延层；其中，所述氮化镓衬底表面分布有多个凹陷部，多个所述凹陷部在氮化镓衬底表面的分布位置与所述氮化镓衬底的表面缺陷分布位置相对应。较之现有技术，本实用新型提供的氮化镓外延结构易于制作，生产效率高，其中氮化镓外延层的质量有明显提升，利于大规模生产和应用。
氮化外延结构

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